低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法-GB/T 34481-2017_万博亚洲网
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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

标 准 号: GB/T 34481-2017
替代情况:
发布单位: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
发布日期: 2017-10-14
实施日期: 2018-07-01
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更新日期: 2018年05月16日
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内容摘要

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。?
本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm??2?、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

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